Itt vannak azok a tranzisztorok, amelyek nem törődnek a Moore-törvénnyel!
Amerikai tudósok egy innovatív technológiai megoldással álltak elő, amely képes kiváltani a szilíciumot, és ráadásul lényegesen kedvezőbb energiahatékonysággal működik. Továbbá, ennek az új anyagnak a helyigénye is sokkal kisebb, így nem is igazán vonatkoznak rá a Moore-törvény korlátai.
Immár nem mikro-, hanem nanoelektronikáról kell beszélni: a Massachusettsi Műszaki Egyetem (MIT) kutatói nanoméretű 3D tranzisztorokat mutattak be, amelyeknek mindössze hat nanométer széles függőleges vezetékei vannak. Ezeket a tranzisztorokat ultravékony, gallium-antimonidból és indium-arzenidből álló félvezető anyagok felhasználásával készítették.
A nanovezetékekből készült tranzisztorok jelentős előnyöket kínálnak a hagyományos szilícium alapú modellekhez képest, mivel méretük lényegesen kisebb, így elkerülik a miniatürizálás jelenlegi kritikus határait. Ezek a függőleges nanovezetékes térhatású tranzisztorok (Vertical Nanowire-FET, VNFET) új módszert alkalmaznak az elektronáramlás irányítására, eltérően a hagyományos vízszintes elrendezésektől. Ez a forradalmi megközelítés lehetővé teszi számos olyan korlátozás megkerülését, amelyek a vízszintes tranzisztorokkal kapcsolatban felmerülnek, és amelyek fizikailag akadályozzák a további méretezést.
A tranzisztorok a kvantummechanika rejtett titkait kihasználva képesek arra, hogy alacsony feszültséggel és mégis magas teljesítménnyel működjenek, mindössze néhány négyzetnanométeres felületen. A háromdimenziós struktúrák előnyeit kiaknázva ezek a tranzisztorok jelentősen csökkentik a hőtermelést és az áramszivárgást, amelyek gyakori problémák a sűrűn elhelyezett áramkörök világában. Ezen kívül a 3D tranzisztorok rétegeinek egymásra helyezése lehetővé teszi a számítási teljesítmény növelését, ami különösen előnyös a nagy teljesítményű számítástechnika és a mesterséges intelligencia fejlődése szempontjából.
Egy innovatív technológiáról van szó, amely képes helyettesíteni a szilíciumot, így megőrzi az eddigi funkciók teljes spektrumát, ráadásul jelentősen javítja az energiahatékonyságot. Yanjie Shao, az új tranzisztorokról készült tanulmány vezető szerzője, ezt a fejlődést hangsúlyozza a Tom's Hardware cikkében.
A nanoméretű tranzisztorok megjelenése szoros összefüggésben áll a félvezetőipar előtt álló Moore-törvény korlátainak fokozódó kihívásaival. Ez a törvény azt jelzi, hogy az integrált áramkörökben található tranzisztorok száma körülbelül 18 havonta megduplázódik. Ahogy a szilícium alapú tranzisztorok elérik elméleti határaikat, új anyagok és tervezési megoldások, mint például a VNFET-ek, ígéretes lehetőségeket kínálnak a technológiai fejlődés folytatására és a jövő innovációinak támogatására.
